二氧化硅(Silica)微粒标准品

Silica微粒标准品是二氧化硅(SiO2)微球浓缩水悬浮液,具有粒径高度精确、球形完美等特征。上海伊普瑞生物科技有限公司可提供的Silica微粒标准品粒径尺寸范围为20nm-50um,将二氧化硅微粒悬浮在乙醇中以保持单分散性。
高精度二氧化硅标准微球适用于晶圆和光掩模检测系统,与传统的PSL小球不同的是,二氧化硅微球因为其高稳定性,可承受反复的高能量激光照射,因此在DUV/EUV激光下无尺寸变化,更适合高能量检测环境。Silica微粒标准品克服了传统聚苯乙烯微球(PSL小球)的光热敏感性缺陷,且氧化硅微粒的折射率(n=1.46)非常接近聚苯乙烯乳胶微球的折射率(n=1.585)。在具体应用场景下,PSL小球和二氧化硅微粒标准品有如下差异:
对比维度 | PSL 小球 | 二氧化硅标准微球 |
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检测设备类型 | 传统低功率设备(如 KLA-Tencor SP1/SP2) | 新一代高功率设备(如 KLA-Tencor SP3/SP5) |
激光能量耐受 | 易受 DUV/EUV 激光影响,多次扫描后粒径漂移 | 高稳定性,可承受反复高能量激光照射 |
粒径范围 | 50 nm~12 μm(主流为 100 nm 以上) | 15 nm~2000 nm(覆盖更宽纳米级范围) |
校准目标 | 设备尺寸精度验证 | 设备尺寸精度验证 + 极端环境稳定性验证 |
长期维护成本 | 需频繁更换(因激光损伤) | 使用寿命长,维护频率低 |
产品规格
产品货号 | 产品粒径 | CV |
---|---|---|
EPRUI-N-Si20 | 20nm | <5% |
EPRUI-N-Si30 | 30nm | <5% |
EPRUI-N-Si40 | 40nm | <5% |
EPRUI-N-Si50 | 50nm | <5% |
EPRUI-N-Si60 | 60nm | <5% |
EPRUI-N-Si70 | 70nm | <5% |
EPRUI-N-S80 | 80nm | <5% |
EPRUI-N-Si90 | 90nm | <5% |
EPRUI-N-Si100 | 100nm | <3% |
EPRUI-N-Si120 | 120nm | <3% |
EPRUI-N-Si150 | 150nm | <3% |
EPRUI-N-Si180 | 180nm | <3% |
EPRUI-N-Si200 | 200nm | <3% |
EPRUI-N-Si300 | 300nm | <3% |
EPRUI-N-Si400 | 400nm | <3% |
EPRUI-N-Si500 | 500nm | <3% |
EPRUI-N-Si600 | 600nm | <3% |
EPRUI-N-Si700 | 700nm | <3% |
EPRUI-N-Si800 | 800nm | <3% |
EPRUI-N-Si900 | 900nm | <3% |
EPRUI-M-Si001 | 1um | <3% |
EPRUI-M-Si002 | 2um | <3% |
EPRUI-M-Si003 | 3um | <3% |
EPRUI-M-Si005 | 5um | <3% |
EPRUI-M-Si0010 | 10um | <3% |
EPRUI-M-Si0015 | 15um | <3% |
EPRUI-M-Si0020 | 20um | <3% |
EPRUI-M-Si0030 | 30um | <3% |
EPRUI-M-Si0040 | 40um | <3% |
EPRUI-M-Si0050 | 50um | <3% |
可提供特殊尺寸定制。
产品优势
1. 极端环境下的稳定性
- 抗激光能量损伤:二氧化硅微球作为无机材料,在深紫外(DUV)和极紫外(EUV)激光反复照射下无尺寸收缩或降解现象(热分解温度>1600℃),可承受 KLA-Tencor SP5/SPx 等高功率设备的激光能量密度(如 10⁶ W/cm² 级),避免因颗粒变形导致的校准偏差。
- 化学稳定性:在半导体制造常用腐蚀环境(如 HF/HNO₃混合液)中保持结构完整,适用于湿法工艺后的检测校准。
2. 高精度尺寸控制能力
纳米级单分散性:通过 Stöber 法或微流控技术制备的二氧化硅微球粒径分布窄(CV≤3%)且DLS粒径分布测试无双峰。

3. 与检测系统的兼容性优化
- 折射率匹配:二氧化硅(n=1.46)与 PSL(n=1.585)在 633 nm 激光下的折射率差异仅 8.5%,通过 Mie 散射理论修正后,其光散射信号与 PSL 高度可比,可无缝替代传统 PSL 标准粒子。
- 悬浮液高浓度特性:我司提供的二氧化硅悬浮液浓度达 10¹³~10¹⁵颗粒 /mL,支持高灵敏度检测设备(如 Hitachi SEM/TEM)的单点沉积校准。
- 多场景适用性:既适用于空白晶圆全沉积校准(颗粒数 5000~25000),也可通过点沉积技术(单尺寸 1000~2500 颗粒)实现多粒径同时验证。
- 长期经济性:使用寿命是 PSL 的 3~5 倍,减少校准频率和维护成本,尤其在 EUV 光刻机等核心设备中优势显著。
产品应用
1. 高功率检测设备校准
适配新一代高功率激光扫描设备,利用其抗 DUV/EUV 激光损伤特性(热分解温度>1600℃),确保在 10⁶ W/cm² 级能量密度下无粒径漂移,实现 5 nm 以下制程缺陷的精准量化。
2. 纳米级缺陷检测
通过制备的单分散微球(CV≤3%),用于校准 SEM/TEM 的分辨率极限。例如,在 3 nm FinFET 工艺中,30 nm 二氧化硅微球可验证设备对等效缺陷的检测灵敏度。
3. 极端环境工艺验证
在湿法刻蚀后检测中,其化学稳定性(耐 HF/HNO₃腐蚀)确保校准颗粒不被蚀刻液溶解。