二氧化硅(Silica)微粒标准品

聚苯乙烯微球

Silica微粒标准品是二氧化硅(SiO2)微球浓缩水悬浮液,具有粒径高度精确、球形完美等特征。上海伊普瑞生物科技有限公司可提供的Silica微粒标准品粒径尺寸范围为20nm-50um,将二氧化硅微粒悬浮在乙醇中以保持单分散性。

高精度二氧化硅标准微球适用于晶圆和光掩模检测系统,与传统的PSL小球不同的是,二氧化硅微球因为其高稳定性,可承受反复的高能量激光照射,因此在DUV/EUV激光下无尺寸变化,更适合高能量检测环境。Silica微粒标准品克服了传统聚苯乙烯微球(PSL小球)的光热敏感性缺陷,且氧化硅微粒的折射率(n=1.46)非常接近聚苯乙烯乳胶微球的折射率(n=1.585)。在具体应用场景下,PSL小球和二氧化硅微粒标准品有如下差异:

对比维度PSL 小球二氧化硅标准微球
检测设备类型传统低功率设备(如 KLA-Tencor SP1/SP2)新一代高功率设备(如 KLA-Tencor SP3/SP5)
激光能量耐受易受 DUV/EUV 激光影响,多次扫描后粒径漂移高稳定性,可承受反复高能量激光照射
粒径范围50 nm~12 μm(主流为 100 nm 以上)15 nm~2000 nm(覆盖更宽纳米级范围)
校准目标设备尺寸精度验证设备尺寸精度验证 + 极端环境稳定性验证
长期维护成本需频繁更换(因激光损伤)使用寿命长,维护频率低

产品规格

产品货号产品粒径CV
EPRUI-N-Si2020nm<5%
EPRUI-N-Si3030nm<5%
EPRUI-N-Si4040nm<5%
EPRUI-N-Si5050nm<5%
EPRUI-N-Si6060nm<5%
EPRUI-N-Si7070nm<5%
EPRUI-N-S8080nm<5%
EPRUI-N-Si9090nm<5%
EPRUI-N-Si100100nm<3%
EPRUI-N-Si120120nm<3%
EPRUI-N-Si150150nm<3%
EPRUI-N-Si180180nm<3%
EPRUI-N-Si200200nm<3%
EPRUI-N-Si300300nm<3%
EPRUI-N-Si400400nm<3%
EPRUI-N-Si500500nm<3%
EPRUI-N-Si600600nm<3%
EPRUI-N-Si700700nm<3%
EPRUI-N-Si800800nm<3%
EPRUI-N-Si900900nm<3%
EPRUI-M-Si0011um<3%
EPRUI-M-Si0022um<3%
EPRUI-M-Si0033um<3%
EPRUI-M-Si0055um<3%
EPRUI-M-Si001010um<3%
EPRUI-M-Si001515um<3%
EPRUI-M-Si002020um<3%
EPRUI-M-Si003030um<3%
EPRUI-M-Si004040um<3%
EPRUI-M-Si005050um<3%

可提供特殊尺寸定制。

产品优势

1. 极端环境下的稳定性

  • 抗激光能量损伤:二氧化硅微球作为无机材料,在深紫外(DUV)和极紫外(EUV)激光反复照射下无尺寸收缩或降解现象(热分解温度>1600℃),可承受 KLA-Tencor SP5/SPx 等高功率设备的激光能量密度(如 10⁶ W/cm² 级),避免因颗粒变形导致的校准偏差。
  • 化学稳定性:在半导体制造常用腐蚀环境(如 HF/HNO₃混合液)中保持结构完整,适用于湿法工艺后的检测校准。

2. 高精度尺寸控制能力

纳米级单分散性:通过 Stöber 法或微流控技术制备的二氧化硅微球粒径分布窄(CV≤3%)且DLS粒径分布测试无双峰。

二氧化硅(Silica)微粒标准品纳米级单分散性

3. 与检测系统的兼容性优化

  • 折射率匹配:二氧化硅(n=1.46)与 PSL(n=1.585)在 633 nm 激光下的折射率差异仅 8.5%,通过 Mie 散射理论修正后,其光散射信号与 PSL 高度可比,可无缝替代传统 PSL 标准粒子。
  • 悬浮液高浓度特性:我司提供的二氧化硅悬浮液浓度达 10¹³~10¹⁵颗粒 /mL,支持高灵敏度检测设备(如 Hitachi SEM/TEM)的单点沉积校准。
  • 多场景适用性:既适用于空白晶圆全沉积校准(颗粒数 5000~25000),也可通过点沉积技术(单尺寸 1000~2500 颗粒)实现多粒径同时验证。
  • 长期经济性:使用寿命是 PSL 的 3~5 倍,减少校准频率和维护成本,尤其在 EUV 光刻机等核心设备中优势显著。

产品应用

1. 高功率检测设备校准

适配新一代高功率激光扫描设备,利用其抗 DUV/EUV 激光损伤特性(热分解温度>1600℃),确保在 10⁶ W/cm² 级能量密度下无粒径漂移,实现 5 nm 以下制程缺陷的精准量化。

2. 纳米级缺陷检测

通过制备的单分散微球(CV≤3%),用于校准 SEM/TEM 的分辨率极限。例如,在 3 nm FinFET 工艺中,30 nm 二氧化硅微球可验证设备对等效缺陷的检测灵敏度。

3. 极端环境工艺验证

在湿法刻蚀后检测中,其化学稳定性(耐 HF/HNO₃腐蚀)确保校准颗粒不被蚀刻液溶解。

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